
مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی برنانو نوارهای گرافن
فرمت فایل دانلودی: .docxفرمت فایل اصلی: doc
تعداد صفحات: 69
مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی برنانو نوارهای گرافن
نوع فایل: word (قابل ویرایش)
تعداد صفحات : 69 صفحه
چکیده
در این پایان نامه ابتدا مقدمه ای از گرافن، روش ساخت، مزایا و کاربردهای آن در ترانزیستورهای اثر میدانی و تحقیقات انجام شده استخراج و مورد بررسی قرار خواهد گرفت، سپس مروری بر ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن خواهیم داشت و روش های شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن معرفی و فرمول های محاسبه و شبیه سازی مبتنی بر تابع گرین غیرتعادلی معرفی می گردد. در ادامه پارامترهای موثر بر مشخصات گذرای ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن، ارائه و نتایج شبیه سازی های مبتنی بر تابع گرین غیرتعادلی برای ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافن ماسفتی ترسیم می گردد. نهایتا اثرات تغییر ساختار برمنحنی مشخصه های ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن ، به روش تابع گرین غیرتعادلی با هدف بررسی تغییر پارامترهای موثر بر پاسخ گذرا مورد ارزیابی قرار می گیرد