فروشگاه اینترنتی فایل های دانشگاهی کاواک

پایان نامه ، مقاله ، پاورپوینت ، مقالات ترجمه شده ، مبانی نظری ، جزوات درسی

فروشگاه اینترنتی فایل های دانشگاهی کاواک

پایان نامه ، مقاله ، پاورپوینت ، مقالات ترجمه شده ، مبانی نظری ، جزوات درسی

مطالعه-عددی-مشخصات-گذرای-ترانزیستورهای-اثرمیدانی-مبتنی-برنانو-نوارهای-گرافن
مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی برنانو نوارهای گرافن
فرمت فایل دانلودی: .docx
فرمت فایل اصلی: doc
تعداد صفحات: 69


مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی برنانو نوارهای گرافن
نوع فایل: word (قابل ویرایش)
تعداد صفحات : 69 صفحه

چکیده
در این پایان نامه ابتدا مقدمه ای از گرافن، روش ساخت، مزایا و کاربردهای آن در ترانزیستورهای اثر میدانی و تحقیقات انجام شده استخراج و مورد بررسی قرار خواهد گرفت، سپس مروری بر ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن خواهیم داشت و روش های شبیه‏ سازی ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن معرفی و فرمول های محاسبه و شبیه سازی مبتنی بر تابع گرین غیرتعادلی معرفی می گردد. در ادامه پارامترهای موثر بر مشخصات گذرای ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن، ارائه و نتایج شبیه‏ سازی های مبتنی بر تابع گرین غیرتعادلی برای ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافن ماسفتی ترسیم می گردد. نهایتا اثرات تغییر ساختار برمنحنی مشخصه های ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن ، به روش تابع گرین غیرتعادلی با هدف بررسی تغییر پارامترهای موثر بر پاسخ گذرا مورد ارزیابی قرار می گیرد

فهرست: 3
فهرست جدول ها 5
چکیده 8
فصل اول 10
مقدمه 10
فصل دوم 17
۲-۱- معرفی نانو نوار گرافن 17
۲-۱-۱- روش های تولید گرافن : 24
۲-۱-۱-۱- لیتوگرافی پرتو E 24
۲-۱-۱-۲- روش‌ پوسته پوسته کردن میکرومکانیکی : 25
۲-۱-۱-۳- روش رشد همبافته : 26
۲-۱-۱-۴- روش رسوب نشانی بخار شیمیایی(CVD) : 26
۲-۱-۱-۵- روش تهیه گرافن از اکسید گرافیت : 27
۲-۱-۱-۶- گرافن مصنوعی : 28
۲-۱-۱-۷- سنتز گرافن از گرافیت با استفاده از روش های حرارتی: 28
۲-۱-۱-۸- سنتز نانوریبون‌های گرافنی درون نانولوله‌های کربنی : 28
۲-۲- ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن 29
۲-۲-۱- ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافن سد شاتکی 29
۲-۲-۲- ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافن ماسفتی 32
۲-۲-۳- ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافن تونلی (TFET) 33
فصل سوم 36
۳-۳- مروری بر روش شبیه سازی NEGF 36
فصل چهارم 42
۴-۱- خازن گیت افزاره 43
۴-۲- فرکانس قطع بهره جریان واحد 44
۴-۳- زمان تاخیر در هر بار عمل کلید زنی (τ) 46
۴-۴- توان مصرفی(PDP) 47
۴-۵- شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن 47
۴-۵-۱- مشخصات افزاره GNRFETماسفتی 48
۴-۵-۲- بررسی منحنی مشخصه های ترانزیستورGNRFET ماسفتی 49
۴-۵-۳- اثرات تغییر ساختار برمنحنی مشخصه های GNRFET ماسفتی 54
فصل پنجم 61
جمع بندی و پیشنهادات 61
منابع: 63

دانلود فایل
پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.

نظرات  (۰)

هیچ نظری هنوز ثبت نشده است

ارسال نظر

ارسال نظر آزاد است، اما اگر قبلا در بیان ثبت نام کرده اید می توانید ابتدا وارد شوید.
شما میتوانید از این تگهای html استفاده کنید:
<b> یا <strong>، <em> یا <i>، <u>، <strike> یا <s>، <sup>، <sub>، <blockquote>، <code>، <pre>، <hr>، <br>، <p>، <a href="" title="">، <span style="">، <div align="">
تجدید کد امنیتی